DF23MR12W1M1B11BPSA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

RoHS:

Y

Өнім:

Power MOSFET модульдері

Түрі:

SiC Power MOSFET

Vf - алға кернеу:

4.6 V

Vr - Кері кернеу:

1200 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

- 10 V, 20 V

Орнату стилі:

Бұрандалы бекіту

Пакет/қорап:

AG-EASY1BM-2

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Қаптама:

Науа

Конфигурация:

Қосарлы

Бренд:

Infineon Technologies

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Күз уақыты:

12.8 ns

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

25 A

Өнім түрі:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

66 mOhms

Көтеру уақыты:

7.2 ns

Зауыттық буманың саны:

24

Ішкі санат:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

38.5 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

11.3 ns

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1200 V

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.45 V

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP003094744

Tags

DF23, DF2