D3S099N65B-U

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

D3 Semiconductor

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

650 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

35.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

90 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

62.6 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

281 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

D3

Күз уақыты:

63 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

61 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

81 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

41 ns

Бірлік салмағы:

0.063493 oz

Tags

D3S09, D3S0, D3S