IRF9388TRPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

12 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

10 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.8 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

25 V

Qg - қақпа заряды:

18 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

20 S

Күз уақыты:

66 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

57 ns

Зауыттық буманың саны:

4000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

80 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001570652

Бірлік салмағы:

0.017870 oz

Tags

IRF938, IRF93, IRF9, IRF