OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба
SI7405BDN-T1-GE3
SI7405BDN-T1-GE3
SI7405BDN-T1-GE3SI7405BDN-T1-GE3
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

SI7405BDN-T1-GE3

Mfr. #:
SI7405BDN-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay
Сипаттама:
MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SI7405BDN-T1-GE3 Деректер тізімі
ECAD Model:

Қол жетімділік

Қор:
Available
Тапсырыс бойынша:
2000
Саны енгізіңіз:
SI7405BDN-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.

Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
0,86 $
0,86 $
10
0,81 $
8,12 $
100
0,77 $
76,95 $
500
0,73 $
363,40 $
1000
0,68 $
684,00 $
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
Вишай Силиконикс
Өнім санаты
FETs - жалғыз
Сериялар
TrenchFETR
Қаптама
Digi-ReelR балама орамасы
Бөлік бүркеншік аттар
SI7405BDN-GE3
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Пакет-қорап
PowerPAKR 1212-8
Технология
Си
Жұмыс температурасы
-55°C ~ 150°C (TJ)
Монтаждау түрі
Беттік орнату
Арналар саны
1 Channel
Жабдықтаушы-құрылғы-пакет
PowerPAKR 1212-8
Конфигурация
Бойдақ
FET түрі
MOSFET P-арнасы, металл оксиді
Қуат – Макс
33W
Транзистор түрі
1 P-Channel
Ағызу-көзге-кернеу-Vdss
12V
Кіріс-сыйымдылық-Ciss-Vds
3500pF @ 6V
FET мүмкіндігі
Стандартты
Ағымдағы-Үздіксіз-ағызу-Id-25°C
16A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
13 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
115nC @ 8V
Pd-қуат-диссипация
3.6 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 150 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Күз уақыты
45 ns
Көтерілу уақыты
60 ns
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
8 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
13.5 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
- 12 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
13 mOhms
Транзистор-полярлық
P-арна
Әдеттегі-өшіру-кідірту уақыты
80 ns
Әдеттегі-қосу-кешігу-уақыты
22 ns
Арна режимі
Жақсарту
Tags
SI7405B, SI7405, SI740, SI74, SI7
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ied Electronics & Automation
SI7405BDN-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 11 A; 12 V; 8-Pin PowerPAK 1212
***Components
Supplied as a Tape, SI7405BDN-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 11 A, 12 V, 8-Pin PowerPAK 1212 Vishay
***ure Electronics
P-Channel 12 V 0.013 O 115 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
***et Europe
Trans MOSFET P-CH 12V 13.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***ark
Transistor Polarity:P Channel
***
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
***i-Key
MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SI7405BDN-T1-GE3
DISTI # SI7405BDN-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		3733In Stock
  • 1000:$0.6118
  • 500:$0.7750
  • 100:$0.9993
  • 10:$1.2640
  • 1:$1.4300
SI7405BDN-T1-GE3
DISTI # SI7405BDN-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI7405BDN-T1-GE3
    DISTI # SI7405BDN-T1-GE3DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		Limited Supply - Call
      SI7405BDN-T1-GE3
      DISTI # 09X6447      		Vishay IntertechnologiesMOSFET, P CHANNEL, -12V, -16A, POWERPAK-8,Transistor Polarity:P Channel,Continuous Drain Current Id:-16A,Drain Source Voltage Vds:-12V,On Resistance Rds(on):0.009ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V,Threshold Voltage Vgs:-1V , RoHS Compliant: Yes0
        SI7405BDN-T1-GE3.
        DISTI # 16AC0268        		Vishay IntertechnologiesTransistor Polarity:P Channel,Continuous Drain Current Id:-16A,Drain Source Voltage Vds:-12V,On Resistance Rds(on):0.009ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V,Threshold Voltage Vgs:-1V,Power Dissipation Pd:33W,No. of Pins:8Pins , RoHS Compliant: No0
          SI7405BDN-T1-GE3
          DISTI # 70617000          		Vishay SiliconixSI7405BDN-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor,11 A,12 V,8-Pin PowerPAK 1212
          RoHS: Compliant          		0
          • 300:$0.7400
          • 600:$0.7250
          • 1500:$0.7030
          • 3000:$0.6730
          • 7500:$0.6290
          SI7405BDN-T1-GE3
          DISTI # 781-SI7405BDN-T1-GE3          		Vishay IntertechnologiesMOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
          RoHS: Compliant          		0
            SI7405BDN-T1-GE3Vishay Intertechnologies 1627
              SI7405BDN-T1-GE3
              DISTI # 8181400P              		Vishay IntertechnologiesTRANS MOSFET P-CH 12V 13.5AN, RL1680
              • 100:£0.5340
              • 400:£0.4710
              • 1000:£0.4310
              Сурет Бөлім № Сипаттама
              SI7405BDN-T1-E3

              Mfr.#: SI7405BDN-T1-E3

              OMO.#: OMO-SI7405BDN-T1-E3-VISHAY

              		 RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 16A 33W 13mohm @ 4.5V
              SI7405BDN

              Mfr.#: SI7405BDN

              OMO.#: OMO-SI7405BDN-1190

              		 Жаңа және түпнұсқа
              SI7405BDN-T1-GE3

              Mfr.#: SI7405BDN-T1-GE3

              OMO.#: OMO-SI7405BDN-T1-GE3-VISHAY

              		 MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
              -ден бастаңыз
              Top