DMT8012LFG-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerDI3333-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

80 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

9.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

14 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

15 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

DMT80

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

3.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3.8 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

16.5 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.9 ns

Бірлік салмағы:

0.002540 oz

Tags

DMT8012LF, DMT801, DMT8, DMT