OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Сәлем, жүйеге кіріңізМенің аккаунтым
0 Арба

SI4943BDY-T1-GE3

SI4943BDY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4943BDY-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay / Siliconix
Сипаттама:
MOSFET 20V 8.4A 2.0W 19mohm @ 10V
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SI4943BDY-T1-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI4943BDY-T1-GE3 DatasheetSI4943BDY-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)SI4943BDY-T1-GE3 Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SI4943BDY-T1-GE3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Вишай
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
E
Технология:
Си
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
SO-8
Сауда атауы:
TrenchFET
Қаптама:
Ролик
Серия:
SI4
Бренд:
Вишай / Силиконикс
Өнім түрі:
MOSFET
Зауыттық буманың саны:
2500
Ішкі санат:
MOSFETs
Бөлім # Бүркеншік аттар:
SI4943BDY-GE3
Бірлік салмағы:
0.006596 oz
Tags
SI4943BDY-T, SI4943B, SI4943, SI494, SI49, SI4
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Transistor MOSFET Array Dual P-Channel 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R
***nell
DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 8.4A
***ment14 APAC
DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 8.4A; Trans; DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 8.4A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id, P Channel:-6.3A; Drain Source Voltage Vds, P Channel:-20V; On Resistance Rds(on), P Channel:0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V
Si4 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si4 MOSFETs are TrenchFET® power MOSFETs used for amplifying electronic signals. These Si4 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- & P-channel. The Si4 MOSFETs offer different VGS, VDS, and temperature ranges. The Si4 MOSFETs operate in an enhancement mode and used for switching between electronic signals. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SI4943BDY-T1-GE3
DISTI # SI4943BDY-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 2500:$0.9950
SI4943BDY-T1-GE3
DISTI # SI4943BDY-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4943BDY-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: Reel		Americas - 0
    SI4943BDY-T1-GE3
    DISTI # 26R1900    		Vishay IntertechnologiesDUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 8.4A,Transistor Polarity:Dual P Channel,Continuous Drain Current Id:-8.4A,Drain Source Voltage Vds:-20V,On Resistance Rds(on):0.019ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V,Threshold Voltage Vgs:-1V RoHS Compliant: Yes0
      SI4943BDY-T1-GE3
      DISTI # 15R5133      		Vishay IntertechnologiesDUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 8.4A,Transistor Polarity:Dual P Channel,Continuous Drain Current Id:-8.4A,Drain Source Voltage Vds:-20V,On Resistance Rds(on):0.019ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V,Threshold Voltage Vgs:-1V RoHS Compliant: Yes0
        SI4943BDY-T1-GE3
        DISTI # 781-SI4943BDY-GE3        		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 8.4A 2.0W 19mohm @ 10V
        RoHS: Compliant        		0
        • 1:$2.0900
        • 10:$1.7300
        • 100:$1.3400
        • 500:$1.1800
        • 1000:$0.9720
        • 2500:$0.9050
        • 5000:$0.8720
        Сурет Бөлім № Сипаттама
        SI4943BDY-T1-E3

        Mfr.#: SI4943BDY-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI4943BDY-T1-E3

        		 MOSFET 20V 8.4A 2W
        SI4943BDY-T1-GE3

        Mfr.#: SI4943BDY-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI4943BDY-T1-GE3

        		 MOSFET 20V 8.4A 2.0W 19mohm @ 10V
        SI4943BDY-T1-GE3

        Mfr.#: SI4943BDY-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI4943BDY-T1-GE3-VISHAY

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 8.4A 2.0W 19mohm @ 10V
        SI4943BDY-T1-E3-CUT TAPE

        Mfr.#: SI4943BDY-T1-E3-CUT TAPE

        OMO.#: OMO-SI4943BDY-T1-E3-CUT-TAPE-1190

        		 Жаңа және түпнұсқа
        SI4943BDY

        Mfr.#: SI4943BDY

        OMO.#: OMO-SI4943BDY-1190

        		 Жаңа және түпнұсқа
        SI4943BDY(R301)

        Mfr.#: SI4943BDY(R301)

        OMO.#: OMO-SI4943BDY-R301--1190

        		 Жаңа және түпнұсқа
        SI4943BDY-T1-E3

        Mfr.#: SI4943BDY-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI4943BDY-T1-E3-VISHAY

        		 MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
        Қол жетімділік
        Қор:
        Available
        Тапсырыс бойынша:
        4500
        Саны енгізіңіз:
        SI4943BDY-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
        Анықтамалық баға (USD)
        Саны
        Тауар өлшемінің бағасы
        Қосымша. Бағасы
        1
        2,08 $
        2,08 $
        10
        1,73 $
        17,30 $
        100
        1,34 $
        134,00 $
        500
        1,17 $
        585,00 $
        1000
        0,97 $
        972,00 $
        2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
        -ден бастаңыз
        Ең жаңа өнімдер
        More Newest Products
        Top