SI5504BDC-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

ChipFET-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4 A, 3.7 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

65 mOhms, 140 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

3.12 W, 3.1 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

3.05 mm

Серия:

SI54

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ені:

1.65 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

5 S, 3.5 S

Күз уақыты:

25 ns, 10 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

80 ns, 60 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

12 ns, 10 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns, 30 ns

Бірлік салмағы:

0.002998 oz

Tags

SI5504BDC-T, SI5504B, SI5504, SI550, SI55, SI5