IRF3205ZSTRLPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

55 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

110 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

6.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

76 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

170 W

Конфигурация:

Бойдақ

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

4.4 mm

Ұзындығы:

10 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

9.25 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

71 S

Күз уақыты:

67 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

95 ns

Зауыттық буманың саны:

800

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

45 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

18 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001559546

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IRF3205ZST, IRF3205ZS, IRF3205Z, IRF3205, IRF320, IRF32, IRF3, IRF