ISS55EP06LMXTSA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-23-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

- 60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

- 0.16 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

5.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

- 2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

- 0.59 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

0.4 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

ISS06P011

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

0.28 S

Күз уақыты:

1.2 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

1.4 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

4.9 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

1 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

ISS55EP06LM SP004987278

Tags

ISS5, ISS