SiZ328DT-T1-GE3

SiZ328DT-T1-GE3
Mfr. #:
SiZ328DT-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay / Siliconix
Сипаттама:
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SiZ328DT-T1-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SiZ328DT-T1-GE3 DatasheetSiZ328DT-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)SiZ328DT-T1-GE3 Datasheet (P7-P9)SiZ328DT-T1-GE3 Datasheet (P10-P12)
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SiZ328DT-T1-GE3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Вишай
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
Си
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
PowerPAIR-3x3-8
Арналар саны:
2 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
25 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
25.3 A, 30 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
10 mOhms, 15 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
1.1 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
- 12 V, 16 V
Qg - қақпа заряды:
6.9 nC, 11.3 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Pd - қуаттың шығыны:
16.2 W
Конфигурация:
Қосарлы
Арна режимі:
Жақсарту
Сауда атауы:
TrenchFET, PowerPAIR
Қаптама:
Ролик
Серия:
SIZ
Транзистор түрі:
2 N-Channel
Бренд:
Вишай / Силиконикс
Форвард өткізгіштік - Мин:
25 S, 42 S
Күз уақыты:
5 ns, 5 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
5 ns, 11 ns
Зауыттық буманың саны:
3000
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
12 ns, 15 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
7 ns, 8 ns
Tags
SiZ32, SiZ3, SiZ
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Integrated MOSFET Solutions
Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density, increase efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 
PowerPAIR® Dual-MOSFETs
Vishay PowerPAIR® Dual-MOSFETs combine optimized combinations of MOSFETs in one compact package. The co-packaged PowerPAIR Dual-MOSFETs use less space and offer increased performance over separate discretes. By having the two MOSFETs already connected inside the PowerPAIR package, layouts are made easier and parasitic inductance from PCB traces are reduced, increasing efficiency. 
Industrial Power Solution
Vishay offers one of the industry’s broadest selections of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors. 
TrenchFET Gen IV MOSFETs
Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETs are next-generation TrenchFET® family of power MOSFETs. These new devices utilize a new high-density design and the SiR182DP, SiR186DP, and SiSS26DN. The TrenchFET Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low RDS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switch.
Сурет Бөлім № Сипаттама
CDCE813QPWRQ1

Mfr.#: CDCE813QPWRQ1

OMO.#: OMO-CDCE813QPWRQ1

Clock Synthesizer / Jitter Cleaner PROGRAMMABLE CLOCK SYNTHESIZER FOR AUTO
10M04SAE144C8G

Mfr.#: 10M04SAE144C8G

OMO.#: OMO-10M04SAE144C8G

FPGA - Field Programmable Gate Array
RN73C2A511RBTD

Mfr.#: RN73C2A511RBTD

OMO.#: OMO-RN73C2A511RBTD

Thin Film Resistors - SMD RN 0805 511R 0.1% 10PPM 5KRL
M20-1060600

Mfr.#: M20-1060600

OMO.#: OMO-M20-1060600

Headers & Wire Housings 6 PIN SIL HOUSING
RN73C2A2K0BTD

Mfr.#: RN73C2A2K0BTD

OMO.#: OMO-RN73C2A2K0BTD

Thin Film Resistors - SMD RN 0805 2K0 0.1% 10PPM 5KRL
10M04SAE144C8G

Mfr.#: 10M04SAE144C8G

OMO.#: OMO-10M04SAE144C8G-INTEL

FPGA - Field Programmable Gate Array
CDCE813QPWRQ1

Mfr.#: CDCE813QPWRQ1

OMO.#: OMO-CDCE813QPWRQ1-TEXAS-INSTRUMENTS

PROGRAMMABLE CLOCK SYNTHESIZER F
W5500 Ethernet Shield

Mfr.#: W5500 Ethernet Shield

OMO.#: OMO-W5500-ETHERNET-SHIELD-WIZNET

Ethernet Development Tools Ethernet Shield
RN73C2A511RBTD

Mfr.#: RN73C2A511RBTD

OMO.#: OMO-RN73C2A511RBTD-TE-CONNECTIVITY-AMP

Thin Film Resistors - SMD RN 0805 511R 0.1% 10PPM 5KRL
RN73C2A2K0BTD

Mfr.#: RN73C2A2K0BTD

OMO.#: OMO-RN73C2A2K0BTD-TE-CONNECTIVITY-AMP

Thin Film Resistors - SMD RN 0805 2K0 0.1% 10PPM 5KRL
Қол жетімділік
Қор:
Available
Тапсырыс бойынша:
1989
Саны енгізіңіз:
SiZ328DT-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
0,96 $
0,96 $
10
0,77 $
7,66 $
100
0,58 $
58,10 $
500
0,48 $
240,00 $
1000
0,38 $
384,00 $
-ден бастаңыз
Ең жаңа өнімдер
Top