IXTN22N100L

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Шасси бекіткіші

Пакет/қорап:

SOT-227-4

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

22 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

600 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

270 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

700 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

12.22 mm

Ұзындығы:

38.23 mm

Серия:

IXTN22N100

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

Сызықтық қуат MOSFET

Ені:

25.42 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

4.5 S

Күз уақыты:

50 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

35 ns

Зауыттық буманың саны:

10

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

80 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

36 ns

Бірлік салмағы:

1.058219 oz

Tags

IXTN2, IXTN, IXT