TK62N60W5,S1VF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

61.8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

36 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

205 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

-

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

400 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

DTMOSIV

Серия:

TK62N60W5

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

13 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

190 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

250 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

270 ns

Бірлік салмағы:

0.211644 oz

Tags

TK62N60W5, TK62N60W, TK62N, TK62, TK6