BSL303SPEH6327XTSA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSOP-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

6.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

25 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

20.9 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

3 mm

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

1.5 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

12.9 S

Күз уақыты:

8.3 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

7.7 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

23.7 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

8 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSL303SPE H6327 SP000953144

Бірлік салмағы:

0.000480 oz

Tags

BSL303, BSL30, BSL3, BSL