NTMJS2D5N06CLTWG

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

LFPAK-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

31 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

3.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

4.5 V

Qg - қақпа заряды:

24 nC, 52 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

113 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Таусылуы

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1-N-Channel

Бренд:

ON Жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

286 S

Күз уақыты:

8.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

55 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

37 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns

Tags

NTMJ, NTM