SSM6J213FE(TE85L,F

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

ES6-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.6 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

250 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

4.7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

500 mW (1/2 W)

Конфигурация:

Бойдақ

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.55 mm

Ұзындығы:

1.6 mm

Серия:

SSM6J213

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

1.2 mm

Бренд:

Toshiba

Өнім түрі:

MOSFET

Зауыттық буманың саны:

4000

Ішкі санат:

MOSFETs

Бірлік салмағы:

0.001270 oz

Tags

SSM6J213, SSM6J21, SSM6J2, SSM6J, SSM6, SSM