CSD23202W10T

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DSBGA-4

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

12 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

92 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

600 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

6 V

Qg - қақпа заряды:

2.9 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1 W

Конфигурация:

Бойдақ

Сауда атауы:

NexFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.62 mm

Ұзындығы:

1 mm

Серия:

CSD23202W10

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

1 mm

Бренд:

Texas Instruments

Күз уақыты:

21 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4 ns

Зауыттық буманың саны:

250

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

58 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns

Бірлік салмағы:

0.000032 oz

Tags

CSD2320, CSD232, CSD23, CSD2, CSD