IXTK8N150L

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-264-3

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1.5 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

3.6 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

8 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

250 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

700 W

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

26.59 mm

Ұзындығы:

20.29 mm

Серия:

IXTK8N150

Түрі:

Сызықтық қуат MOSFET

Ені:

5.31 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

1.4 S

Күз уақыты:

95 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

18 ns

Зауыттық буманың саны:

25

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

90 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

36 ns

Бірлік салмағы:

0.352740 oz

Tags

IXTK8, IXTK, IXT