IXTA80N10T

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

105 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

80 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

14 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

60 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

230 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchMV

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

4.83 mm

Ұзындығы:

9.65 mm

Серия:

IXTA80N10

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

TrenchMV Power MOSFET

Ені:

10.41 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

33 S

Күз уақыты:

48 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

54 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

40 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

31 ns

Бірлік салмағы:

0.056438 oz

Tags

IXTA80N10, IXTA80N1, IXTA80, IXTA8, IXTA, IXT