STB10N65K3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

650 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

10 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

750 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

42 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

150 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

SuperMesh

Қаптама:

Ролик

Серия:

STB10N65K3

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

35 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

14 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

44 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

14.5 ns

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

STB10N6, STB10N, STB10, STB1, STB