BSG0811ND

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TISON-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

25 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

50 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.4 mOhms, 700 uOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

16 V

Qg - қақпа заряды:

8.4 nC, 29 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

6.25 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.15 mm

Ұзындығы:

6 mm

Серия:

OptiMOS 5

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

5 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

46 S, 90 S

Күз уақыты:

1.4 ns, 2.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4.7 ns, 4.3 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

4.3 ns, 8.8 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.3 ns, 5.6 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSG0811NDATMA1 SP001075902

Бірлік салмағы:

0.008113 oz

Tags

BSG0811, BSG08, BSG0, BSG