OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Сәлем, жүйеге кіріңізМенің аккаунтым
0 Арба

SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3
Mfr. #:
SIS410DN-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay
Сипаттама:
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SIS410DN-T1-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SIS410DN-T1-GE3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
Вишай Силиконикс
Өнім санаты
FETs - жалғыз
Сериялар
TrenchFETR
Қаптама
Digi-ReelR балама орамасы
Бөлік бүркеншік аттар
SIS410DN-GE3
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Пакет-қорап
PowerPAKR 1212-8
Технология
Си
Жұмыс температурасы
-55°C ~ 150°C (TJ)
Монтаждау түрі
Беттік орнату
Арналар саны
1 Channel
Жабдықтаушы-құрылғы-пакет
PowerPAKR 1212-8
Конфигурация
Бойдақ
FET түрі
MOSFET N-арнасы, металл оксиді
Қуат – Макс
52W
Транзистор түрі
1 N-Channel
Ағызу-көзге-кернеу-Vdss
20V
Кіріс-сыйымдылық-Ciss-Vds
1600pF @ 10V
FET мүмкіндігі
Стандартты
Ағымдағы-Үздіксіз-ағызу-Id-25°C
35A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.5V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
41nC @ 10V
Pd-қуат-диссипация
5.2 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 150 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Күз уақыты
15 ns
Көтерілу уақыты
15 ns
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
20 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
35 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
20 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
5 mOhms
Транзистор-полярлық
N-арна
Әдеттегі-өшіру-кідірту уақыты
30 ns
Әдеттегі-қосу-кешігу-уақыты
25 ns
Форвард-өткізгіштік-мин
70 S
Арна режимі
Жақсарту
Tags
SIS410D, SIS410, SIS41, SIS4, SIS
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
TrenchFET® Gen III Power MOSFET
The Vishay Siliconix TrenchFET® Gen III Power MOSFET family offers the industry's lowest on-resistance and on-resistance times gate charge for a device with this voltage rating in the PowerPAK® SO-8, PowerPAK 1212-8, and SO-8 package types. The Vishay Siliconix TrenchFET Gen III Power MOSFET improves greatly on the performance of the closest competing devices. The lower on-resistance and gate charge of the TrenchFET® Gen III Power MOSFET translate into lower conduction and switching losses. Several devices in the TrenchFET family are also equipped with TurboFET™ technology, which won the EN-Genius award for Best Improvement in Power Devices. Vishay Siliconix TrenchFET devices are used as the low-side MOSFET in synchronous buck converters and in secondary synchronous rectification and OR-ing applications.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SIS410DN-T1-GE3
DISTI # V36:1790_09216084		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
RoHS: Compliant		0
  • 3000000:$0.4227
  • 1500000:$0.4229
  • 300000:$0.4329
  • 30000:$0.4484
  • 3000:$0.4509
SIS410DN-T1-GE3
DISTI # V72:2272_09216084		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
RoHS: Compliant		0
    SIS410DN-T1-GE3
    DISTI # SIS410DN-T1-GE3CT-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		161825In Stock
    • 1000:$0.4975
    • 500:$0.6302
    • 100:$0.7629
    • 10:$0.9790
    • 1:$1.0900
    SIS410DN-T1-GE3
    DISTI # SIS410DN-T1-GE3DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		161825In Stock
    • 1000:$0.4975
    • 500:$0.6302
    • 100:$0.7629
    • 10:$0.9790
    • 1:$1.0900
    SIS410DN-T1-GE3
    DISTI # SIS410DN-T1-GE3TR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Tape & Reel (TR)    		159000In Stock
    • 15000:$0.4122
    • 6000:$0.4283
    • 3000:$0.4508
    SIS410DN-T1-GE3
    DISTI # SIS410DN-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SIS410DN-T1-GE3)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Tape and Reel    		Europe - 0
    • 30000:€0.4459
    • 18000:€0.4659
    • 12000:€0.5269
    • 6000:€0.6499
    • 3000:€0.9059
    SIS410DN-T1-GE3
    DISTI # SIS410DN-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SIS410DN-T1-GE3)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Reel    		Americas - 0
    • 30000:$0.3759
    • 18000:$0.3859
    • 12000:$0.3969
    • 6000:$0.4139
    • 3000:$0.4259
    SIS410DN-T1-GE3
    DISTI # 08R0706    		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N CH, 20V, 35A, POWERPAK 1212-8, FULL REEL,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:35A,Drain Source Voltage Vds:20V,On Resistance Rds(on):0.004ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Power Dissipation Pd:52W RoHS Compliant: Yes0
    • 12000:$0.3850
    • 6000:$0.4340
    • 3000:$0.4560
    • 1:$0.4590
    SIS410DN-T1-GE3
    DISTI # 05W6932    		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N CHANNEL, 20V, 35A, POWERPAK 1212-8,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:35A,Drain Source Voltage Vds:20V,On Resistance Rds(on):0.004ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:1.2V RoHS Compliant: Yes0
    • 1000:$0.4870
    • 500:$0.6080
    • 250:$0.6510
    • 100:$0.6860
    • 10:$0.8680
    • 1:$0.8960
    SIS410DN-T1-GE3
    DISTI # 55R1905    		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 20V, 35A, POWERPAK8,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:35A,Drain Source Voltage Vds:20V,On Resistance Rds(on):4mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Power Dissipation Pd:5.2W,Operating RoHS Compliant: Yes1220
    • 1000:$0.5640
    • 500:$0.5960
    • 100:$0.6930
    • 50:$0.7630
    • 25:$0.8320
    • 10:$0.9020
    • 1:$1.1000
    SIS410DN-T1-GE3
    DISTI # 781-SIS410DN-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
    RoHS: Compliant    		7753
    • 1:$1.0800
    • 10:$0.8920
    • 100:$0.6850
    • 500:$0.5890
    • 1000:$0.4640
    • 3000:$0.4330
    • 6000:$0.4120
    • 9000:$0.3960
    SIS410DN-T1-GE3
    DISTI # 1779235    		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 20V, 35A, POWERPAK8
    RoHS: Compliant    		1221
    • 1000:$0.7500
    • 500:$0.9500
    • 100:$1.1500
    • 10:$1.4800
    • 1:$1.6400
    SIS410DN-T1-GE3
    DISTI # 1779235    		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 20V, 35A, POWERPAK81426
    • 500:£0.4280
    • 250:£0.4630
    • 100:£0.4970
    • 25:£0.6470
    • 5:£0.7600
    SIS410DNT1GE3Vishay IntertechnologiesPower Field-Effect Transistor, 22A I(D), 20V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
    RoHS: Compliant    		3000
      SIS410DN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8Americas - 6000
      • 3000:$0.4250
      • 6000:$0.4040
      • 12000:$0.3910
      • 18000:$0.3800
      Сурет Бөлім № Сипаттама
      SIS410DN-T1-GE3

      Mfr.#: SIS410DN-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIS410DN-T1-GE3

      		 MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
      SIS410DN

      Mfr.#: SIS410DN

      OMO.#: OMO-SIS410DN-1190

      		 Жаңа және түпнұсқа
      SIS410DN-T1-E3

      Mfr.#: SIS410DN-T1-E3

      OMO.#: OMO-SIS410DN-T1-E3-1190

      		 Жаңа және түпнұсқа
      SIS410DN-T1-GE3

      Mfr.#: SIS410DN-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIS410DN-T1-GE3-VISHAY

      		 MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
      Қол жетімділік
      Қор:
      Available
      Тапсырыс бойынша:
      5500
      Саны енгізіңіз:
      SIS410DN-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
      Анықтамалық баға (USD)
      Саны
      Тауар өлшемінің бағасы
      Қосымша. Бағасы
      1
      0,56 $
      0,56 $
      10
      0,54 $
      5,36 $
      100
      0,51 $
      50,75 $
      500
      0,48 $
      239,65 $
      1000
      0,45 $
      451,10 $
      2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
      -ден бастаңыз
      Top