IRF630NLPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-262-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

200 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

9.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

300 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

23.3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

82 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

9.45 mm

Ұзындығы:

10.2 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.5 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

4.9 S

Күз уақыты:

15 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

14 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

27 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7.9 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001559690

Бірлік салмағы:

0.084199 oz

Tags

IRF630N, IRF630, IRF63, IRF6, IRF