SI3483DDV-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSOP-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

- 30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

- 8 A

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

- 2.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

- 20 V, + 16 V

Qg - қақпа заряды:

9.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Күз уақыты:

40 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

33 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

30 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Tags

SI3483D, SI3483, SI348, SI34, SI3