OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Сәлем, жүйеге кіріңізМенің аккаунтым
0 Арба

A3G22H400-04SR3

A3G22H400-04SR3
Mfr. #:
A3G22H400-04SR3
Өндіруші:
NXP Semiconductors
Сипаттама:
RF MOSFET Transistors RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
A3G22H400-04SR3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
A3G22H400-04SR3 Көбірек ақпарат A3G22H400-04SR3 Product Details
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
NXP
Өнім санаты:
RF MOSFET транзисторлары
RoHS:
Y
Транзистордың полярлығы:
Қос N-арна
Технология:
GaN
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
29.7 mA
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
150 V
Табыс:
15.3 dB
Шығу қуаты:
79 W
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
NI-780S-4
Қаптама:
Ролик
Жұмыс жиілігі:
1800 MHz to 2200 MHz
Серия:
A3G22H400
Түрі:
RF қуаты MOSFET
Бренд:
NXP жартылай өткізгіштері
Арналар саны:
2 Channel
Өнім түрі:
RF MOSFET транзисторлары
Зауыттық буманың саны:
250
Ішкі санат:
MOSFETs
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
- 8 V
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
- 2.3 V
Бөлім # Бүркеншік аттар:
935370222128
Tags
A3G
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Airfast® Third-Generation Power Amplifiers
NXP Semiconductors Airfast® Third-Generation Power Amplifiers provide the best in class performance for the critical parameters that include efficiency, gain, RF power, and signal bandwidth. The Airfast third-generation technology reduces the footprint required to deliver specific RF output power. These amplifiers include 28V and 48V LDMOS transistors. The Airfast third-generation amplifiers are designed for the asymmetrical Doherty amplifier architectures. These amplifiers feature high efficiency, reduced solution size, thermal performance, and operate at wideband frequency. The Airfast third-generation amplifiers support all global cellular standards including LTE and NR for 5G. These amplifiers reduce both the size of cellular base stations and the installation costs.
RF Power GaN Portfolio
NXP Semiconductors RF Power Gallium Nitride (GaN) Portfolio provides state of the art linearizability and RF performance that enables 5G deployment. These transistors offer solutions for cellular infrastructure, defense, and industrial markets. The GaN transistors provide wideband performance and high-frequency operation. These transistors feature end-to-end applications, solution support, and high-volume production. The GaN transistors come with advanced GaN on SiC technology that offers high power density. These transistors are designed for cellular base station applications.
Сурет Бөлім № Сипаттама
A3G22H400-04SR3

Mfr.#: A3G22H400-04SR3

OMO.#: OMO-A3G22H400-04SR3

 RF MOSFET Transistors RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V
Қол жетімділік
Қор:
Available
Тапсырыс бойынша:
3500
Саны енгізіңіз:
A3G22H400-04SR3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
-ден бастаңыз
Top