FDMD8280

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PQFN-12

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

80 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

40 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

8.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

38 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

Қуат клипі

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.8 mm

Ұзындығы:

5 mm

Серия:

FDMD8280

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

3.3 mm

Бренд:

ON Semiconductor / Fairchild

Күз уақыты:

8.9 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

12 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

26 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Бірлік салмағы:

0.002904 oz

Tags

FDMD82, FDMD, FDM