STD1NK80Z-1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-251-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

800 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

16 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.75 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

7.7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

45 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

6.2 mm

Ұзындығы:

6.6 mm

Серия:

STQ1NK80ZR-AP

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

2.4 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Форвард өткізгіштік - Мин:

0.8 S

Күз уақыты:

55 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

30 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

22 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

8 ns

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

STD1NK8, STD1NK, STD1N, STD1, STD