FDI150N10

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-262-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

57 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

12 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

110 W

Конфигурация:

Бойдақ

Сауда атауы:

PowerTrench

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

7.88 mm

Ұзындығы:

10.29 mm

Серия:

FDI150N10

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

Power Tranch MOSFET

Ені:

4.83 mm

Бренд:

ON Semiconductor / Fairchild

Форвард өткізгіштік - Мин:

156 S

Күз уақыты:

83 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

164 ns

Зауыттық буманың саны:

800

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

86 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

47 ns

Бірлік салмағы:

0.073511 oz

Tags

FDI1, FDI