BSS83PH6327XT

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-23-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

330 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.4 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

3.57 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

360 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

2.9 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

BSS83

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

1.3 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

240 mS

Күз уақыты:

61 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

71 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

56 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

23 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSS83P BSS83PH6327XTSA1 H6327 SP000702486

Бірлік салмағы:

0.000282 oz

Tags

BSS83PH6, BSS83PH, BSS83P, BSS83, BSS8, BSS