IXFT6N100Q

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-268-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

6 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.9 Ohms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

180 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HyperFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

5.1 mm

Ұзындығы:

16.05 mm

Серия:

IXFT6N100

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

14 mm

Бренд:

IXYS

Күз уақыты:

12 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

22 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns

Бірлік салмағы:

0.158733 oz

Tags

IXFT6, IXFT, IXF