SPD30N03S2L-10

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

30 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

10.4 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

100 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.3 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

6.22 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

47.5 S / 23.8 S

Күз уақыты:

17 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

13 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

27 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6.1 ns

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

SPD30N03S2L-1, SPD30N03S2L, SPD30N03S, SPD30N03, SPD30N, SPD30, SPD3, SPD