IXTQ50N25T

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-3P-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

250 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

50 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

60 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

78 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

400 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HiPerFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

20.3 mm

Ұзындығы:

15.8 mm

Серия:

IXTQ50N25

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

Tranch Gate Power MOSFET

Ені:

4.9 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

35 S

Күз уақыты:

25 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

25 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

47 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

14 ns

Бірлік салмағы:

0.056438 oz

Tags

IXTQ50, IXTQ5, IXTQ, IXT