2N5210NMBU

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

Y

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-92-3

Транзистордың полярлығы:

NPN

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

50 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

50 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

4.5 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

0.7 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

0.1 A

Өткізу қабілеттілігін арттыру өнімі fT:

30 MHz

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Тұрақты ток күші hFE макс:

600

Биіктігі:

4.58 mm

Ұзындығы:

4.58 mm

Қаптама:

Жаппай

Ені:

3.86 mm

Бренд:

ON Semiconductor / Fairchild

Үздіксіз коллекторлық ток:

0.1 A

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

200

Pd - қуаттың шығыны:

625 mW

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

Транзисторлар

Бірлік салмағы:

0.008466 oz

Tags

2N521, 2N52, 2N5