APT75GP120B2G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

IGBT транзисторлары

RoHS:

Y

Технология:

Си

Пакет/қорап:

T-Max-3

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

1.2 kV

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

3.3 V

Шықпа эмитентінің максималды кернеуі:

30 V

Үздіксіз коллектор тогы 25 С:

100 A

Pd - қуаттың шығыны:

1.042 kW

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Қаптама:

Түтік

Үздіксіз коллектор ток Ic макс:

100 A

Биіктігі:

5.31 mm

Ұзындығы:

21.46 mm

Жұмыс температурасының диапазоны:

- 55 C to + 150 C

Ені:

16.26 mm

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Үздіксіз коллекторлық ток:

100 A

Шлюз-эмиттер ағып кету тогы:

100 nA

Өнім түрі:

IGBT транзисторлары

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

IGBT

Сауда атауы:

POWER MOS 7 IGBT

Tags

APT75GP, APT75G, APT75, APT7, APT