IXTP6N100D2

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

6 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.2 Ohms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

95 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

300 W

Конфигурация:

Бойдақ

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

16 mm

Ұзындығы:

10.66 mm

Серия:

IXTP6N100

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

Тасу режимі MOSFET

Ені:

4.83 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

2.6 S

Күз уақыты:

47 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

80 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

34 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Бірлік салмағы:

0.081130 oz

Tags

IXTP6N, IXTP6, IXTP, IXT