OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

BSC886N03LS G

BSC886N03LS G
Mfr. #:
BSC886N03LS G
Өндіруші:
Infineon Technologies
Сипаттама:
MOSFET N-Ch 30V 65A TDSON-8
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
BSC886N03LS G Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Infineon
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
Си
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
TDSON-8
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
30 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
65 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
6 mOhms
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
20 V
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Pd - қуаттың шығыны:
2.5 W
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Қаптама:
Ролик
Биіктігі:
1.27 mm
Ұзындығы:
5.9 mm
Серия:
BSC886N03
Транзистор түрі:
1 N-Channel
Ені:
5.15 mm
Бренд:
Infineon Technologies
Күз уақыты:
3 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
3.2 ns
Зауыттық буманың саны:
5000
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
18 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
4.2 ns
Бөлім # Бүркеншік аттар:
BSC886N03LSGATMA1 BSC886N3LSGXT SP000475950
Tags
BSC886N03LSG, BSC886, BSC8, BSC
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
BSC886N03LS G
DISTI # 30579819		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
RoHS: Compliant		10000
  • 77:$0.2856
BSC886N03LSGATMA1
DISTI # BSC886N03LSGATMA1CT-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		4185In Stock
  • 1000:$0.3093
  • 500:$0.3866
  • 100:$0.5219
  • 10:$0.6770
  • 1:$0.7700
BSC886N03LSGATMA1
DISTI # BSC886N03LSGATMA1DKR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		4185In Stock
  • 1000:$0.3093
  • 500:$0.3866
  • 100:$0.5219
  • 10:$0.6770
  • 1:$0.7700
BSC886N03LSGATMA1
DISTI # BSC886N03LSGATMA1TR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 5000:$0.2533
BSC886N03LS G
DISTI # C1S322000282117		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
RoHS: Compliant		10000
  • 50:$0.2240
  • 10:$0.2630
BSC886N03LS G
DISTI # BSC886N03LS G		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R (Alt: BSC886N03LS G)
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape and Reel		Asia - 0
    BSC886N03LS G
    DISTI # SP000475950    		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R (Alt: SP000475950)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 5000
    Container: Tape and Reel    		Europe - 0
    • 5000:€0.3179
    • 10000:€0.2699
    • 20000:€0.2399
    • 30000:€0.2159
    • 50000:€0.2009
    BSC886N03LSGXT
    DISTI # BSC886N03LSGATMA1    		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R - Tape and Reel (Alt: BSC886N03LSGATMA1)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 5000
    Container: Reel    		Americas - 0
    • 5000:$0.1959
    • 10000:$0.1889
    • 20000:$0.1819
    • 30000:$0.1759
    • 50000:$0.1729
    BSC886N03LSGATMA1
    DISTI # 97Y1253    		Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 30V, 65A, PG-TDSON-8,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:65A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):0.005ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:2.2V,Power , RoHS Compliant: Yes4977
    • 1:$0.8100
    • 10:$0.7070
    • 25:$0.6530
    • 50:$0.5990
    • 100:$0.5450
    • 250:$0.4750
    • 500:$0.4040
    • 1000:$0.3230
    BSC886N03LSGInfineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
    RoHS: Compliant    		9609
    • 1000:$0.2500
    • 500:$0.2600
    • 100:$0.2700
    • 25:$0.2900
    • 1:$0.3100
    BSC886N03LS GInfineon Technologies AG 
    RoHS: Not Compliant    		5000
    • 1000:$0.2400
    • 500:$0.2500
    • 100:$0.2600
    • 25:$0.2700
    • 1:$0.2900
    BSC886N03LSGATMA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
    RoHS: Compliant    		5000
    • 1000:$0.2400
    • 500:$0.2500
    • 100:$0.2600
    • 25:$0.2700
    • 1:$0.2900
    BSC886N03LS G
    DISTI # 726-BSC886N03LSG    		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 30V 65A TDSON-8
    RoHS: Compliant    		0
    • 1:$0.6400
    • 10:$0.5290
    • 100:$0.3420
    • 1000:$0.2730
    • 5000:$0.2310
    BSC886N03LSGInfineon Technologies AG 1500
      BSC886N03LSGATMA1
      DISTI # 2617422      		Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 30V, 65A, PG-TDSON-8
      RoHS: Compliant      		4977
      • 1:$1.2200
      • 10:$1.0800
      • 100:$0.8260
      • 500:$0.6120
      • 1000:$0.4900
      BSC886N03LSGATMA1
      DISTI # 2617422      		Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 30V, 65A, PG-TDSON-8
      RoHS: Compliant      		4977
      • 5:£0.6100
      • 25:£0.5510
      • 100:£0.4190
      • 250:£0.3650
      • 500:£0.3100
      Сурет Бөлім № Сипаттама
      BSC886N03LS G

      Mfr.#: BSC886N03LS G

      OMO.#: OMO-BSC886N03LS-G

      		 MOSFET N-Ch 30V 65A TDSON-8
      BSC886N03LSGATMA1

      Mfr.#: BSC886N03LSGATMA1

      OMO.#: OMO-BSC886N03LSGATMA1

      		 MOSFET LV POWER MOS
      BSC886N03LS

      Mfr.#: BSC886N03LS

      OMO.#: OMO-BSC886N03LS-1190

      		 Жаңа және түпнұсқа
      BSC886N03LS G

      Mfr.#: BSC886N03LS G

      OMO.#: OMO-BSC886N03LS-G-1190

      		 Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
      BSC886N03LSG

      Mfr.#: BSC886N03LSG

      OMO.#: OMO-BSC886N03LSG-1190

      		 Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
      BSC886N03LSG E8178

      Mfr.#: BSC886N03LSG E8178

      OMO.#: OMO-BSC886N03LSG-E8178-1190

      		 Жаңа және түпнұсқа
      BSC886N03LSGATMA1

      Mfr.#: BSC886N03LSGATMA1

      OMO.#: OMO-BSC886N03LSGATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
      BSC886N03LSGATMA1 , TDZF

      Mfr.#: BSC886N03LSGATMA1 , TDZF

      OMO.#: OMO-BSC886N03LSGATMA1-TDZF-1190

      		 Жаңа және түпнұсқа
      Қол жетімділік
      Қор:
      Available
      Тапсырыс бойынша:
      2000
      Саны енгізіңіз:
      BSC886N03LS G ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
      Анықтамалық баға (USD)
      Саны
      Тауар өлшемінің бағасы
      Қосымша. Бағасы
      1
      0,63 $
      0,63 $
      10
      0,53 $
      5,29 $
      100
      0,34 $
      34,20 $
      1000
      0,27 $
      273,00 $
      -ден бастаңыз
      Ең жаңа өнімдер
      More Newest Products
      Top