FQB8N90CTM

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

900 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

6.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.6 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

35 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

171 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

QFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

4.83 mm

Ұзындығы:

10.67 mm

Серия:

FQB8N90CTM

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

9.65 mm

Бренд:

ON Semiconductor / Fairchild

Форвард өткізгіштік - Мин:

5.5 S

Күз уақыты:

70 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

110 ns

Зауыттық буманың саны:

800

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

70 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

40 ns

Бірлік салмағы:

0.046296 oz

Tags

FQB8N, FQB8, FQB