BSL308CH6327XTSA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSOP-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2 A, 2.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

130 mOhms, 93 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V, 1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

- 1.2 nC, 650 pC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

0.5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

3 mm

Транзистор түрі:

1 P-Channel, 1 N-Channel

Ені:

1.5 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

4.6 S, 5 S

Күз уақыты:

2.8 ns. 1.4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

7.7 ns, 2.3 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

15.3 ns, 8.3 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5.6 ns, 4.4 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSL308C H6327 SP001101002

Tags

BSL308CH, BSL308C, BSL308, BSL30, BSL3, BSL