CSD19538Q3AT

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

VSONP-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

15 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

61 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

4.3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.8 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

NexFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.9 mm

Ұзындығы:

3.15 mm

Серия:

CSD19538Q3A

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3 mm

Бренд:

Texas Instruments

Күз уақыты:

2 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3 ns

Зауыттық буманың саны:

250

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5 ns

Tags

CSD19538, CSD1953, CSD19, CSD1, CSD