BSM200GA120DN2

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

IGBT модульдері

RoHS:

Y

Өнім:

IGBT кремний модульдері

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

1200 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

2.5 V

Үздіксіз коллектор тогы 25 С:

300 A

Шлюз-эмиттер ағып кету тогы:

200 nA

Pd - қуаттың шығыны:

1550 W

Пакет/қорап:

62 mm

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Қаптама:

Науа

Биіктігі:

36.5 mm

Ұзындығы:

106.4 mm

Ені:

61.4 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Орнату стилі:

Шасси бекіткіші

Шықпа эмитентінің максималды кернеуі:

20 V

Өнім түрі:

IGBT модульдері

Зауыттық буманың саны:

10

Ішкі санат:

IGBT

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSM200GA120DN2HOSA1 SP000100725

Tags

BSM200GA120DN2, BSM200GA120DN, BSM200GA12, BSM200GA1, BSM200GA, BSM200G, BSM200, BSM20, BSM2, BSM