BSC12DN20NS3G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TDSON-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

200 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

11.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

108 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

8.7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

50 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.27 mm

Ұзындығы:

5.9 mm

Серия:

OptiMOS 3

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5.15 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

6 S

Күз уақыты:

3 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSC12DN20NS3GATMA1 SP000781774

Tags

BSC12D, BSC12, BSC1, BSC