IXTK120P20T

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-264-3

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

200 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

120 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

30 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

15 V

Qg - қақпа заряды:

740 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.04 kW

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TranchP

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

26.59 mm

Ұзындығы:

20.29 mm

Серия:

IXTK120P20

Түрі:

TrenchP Power MOSFET

Ені:

5.31 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

85 S

Күз уақыты:

50 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

85 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

200 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

90 ns

Бірлік салмағы:

0.264555 oz

Tags

IXTK120, IXTK12, IXTK1, IXTK, IXT