R6025FNZC8

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-3PF-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

25 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

140 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

85 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

150 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

9 S

Күз уақыты:

72 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

115 ns

Зауыттық буманың саны:

360

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

150 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

57 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

R6025FNZ

Бірлік салмағы:

0.000071 oz

Tags

R6025F, R6025, R602, R60