APT56M50B2

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

T-MAX-3

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

500 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

56 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

85 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

220 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

780 W

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

POWER MOS 8

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

5.31 mm

Ұзындығы:

21.46 mm

Ені:

16.26 mm

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Форвард өткізгіштік - Мин:

43 S

Күз уақыты:

33 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

45 ns

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

100 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

38 ns

Tags

APT56M, APT56, APT5, APT