SI1922EDH-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-363-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

198 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

400 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

2.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.25 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1 mm

Ұзындығы:

2.1 mm

Серия:

SI1

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

1.25 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

4 S

Күз уақыты:

220 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

80 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

480 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

43 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SI1988DH-T1-GE3

Бірлік салмағы:

0.000265 oz

Tags

SI1922EDH-T1, SI1922EDH-T, SI1922, SI192, SI19, SI1