OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3
Mfr. #:
SISS27DN-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay
Сипаттама:
IGBT Transistors MOSFET -30V 5.6mOhm@10V -50A P-Ch G-III
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SISS27DN-T1-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SISS27DN-T1-GE3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
ВИШАЙ
Өнім санаты
FETs - жалғыз
Сериялар
SISxxxDN
Қаптама
Ролик
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Сауда атауы
TrenchFET Power MOSFET
Пакет-қорап
PowerPAK-1212-8
Технология
Си
Арналар саны
1 Channel
Конфигурация
Бойдақ
Транзистор түрі
1 P-Channel
Pd-қуат-диссипация
57 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 150 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Күз уақыты
20 ns
Көтерілу уақыты
45 ns
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
20 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
- 50 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
- 30 V
Vgs-th-Gate-Көзі-Табалдырық-кернеу
- 1 V to - 2.2 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
5.6 mOhms
Транзистор-полярлық
P-арна
Әдеттегі-өшіру-кідірту уақыты
50 ns
Әдеттегі-қосу-кешігу-уақыты
60 ns
Qg-Gate-Заряд
45 nC
Форвард-өткізгіштік-мин
52 S
Арна режимі
Жақсарту
Tags
SISS27D, SISS27, SISS2, SISS, SIS
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Industrial Power Solution
Vishay offers one of the industry’s broadest selections of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors. 
TrenchFET® P-Channel MOSFETs
Vishay Siliconix TrenchFET® P-Channel MOSFETs feature the newest generation of P-channel silicon technology. This enables these devices to provide industry-best on-resistance specifications like 1.9 milliohms in the PowerPAK® SO-8. The P-channel MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. These MOSFETs are available in two variants that employ either Generation III or Generation IV technology. The Gen-IV P-channel MOSFETs offer low on-resistance and come in a thermally enhanced compact package.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SISS27DN-T1-GE3
DISTI # SISS27DN-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		On Order
  • 3000:$0.3402
SISS27DN-T1-GE3
DISTI # SISS27DN-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.3867
  • 500:$0.4833
  • 100:$0.6525
  • 10:$0.8460
  • 1:$0.9700
SISS27DN-T1-GE3
DISTI # SISS27DN-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.3867
  • 500:$0.4833
  • 100:$0.6525
  • 10:$0.8460
  • 1:$0.9700
SISS27DN-T1-GE3
DISTI # SISS27DN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 23A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SISS27DN-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.3099
  • 6000:$0.3009
  • 12000:$0.2889
  • 18000:$0.2809
  • 30000:$0.2729
SISS27DN-T1-GE3
DISTI # SISS27DN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 23A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SISS27DN-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel		Asia - 0
    SISS27DN-T1-GE3
    DISTI # 99W9575    		Vishay IntertechnologiesP-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET0
    • 1:$0.3670
    • 5000:$0.3590
    • 10000:$0.3310
    • 20000:$0.3100
    • 30000:$0.2880
    • 50000:$0.2760
    SISS27DN-T1-GE3
    DISTI # 70459595    		Vishay SiliconixSISS27DN-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor,23 A,30 V,8-Pin PowerPAK 1212
    RoHS: Compliant    		0
    • 3000:$0.9590
    SISS27DN-T1-GE3
    DISTI # 78-SISS27DN-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
    RoHS: Compliant    		0
    • 1:$0.8500
    • 10:$0.6810
    • 100:$0.5170
    • 500:$0.4270
    • 1000:$0.3420
    • 3000:$0.3100
    SISS27DN-T1-GE3
    DISTI # 8141323    		Vishay IntertechnologiesTRANS MOSFET P-CH 30V 23A, PK100
    • 20:£0.1870
    • 100:£0.1840
    SISS27DN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SAmericas - Stock
      Сурет Бөлім № Сипаттама
      SISS27DN-T1-GE3

      Mfr.#: SISS27DN-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SISS27DN-T1-GE3

      		 MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
      SISS27DN-T1-GE3

      Mfr.#: SISS27DN-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SISS27DN-T1-GE3-VISHAY

      		 IGBT Transistors MOSFET -30V 5.6mOhm@10V -50A P-Ch G-III
      SISS27DN

      Mfr.#: SISS27DN

      OMO.#: OMO-SISS27DN-1190

      		 Жаңа және түпнұсқа
      SISS27DN-T1-G3

      Mfr.#: SISS27DN-T1-G3

      OMO.#: OMO-SISS27DN-T1-G3-1190

      		 Жаңа және түпнұсқа
      Қол жетімділік
      Қор:
      Available
      Тапсырыс бойынша:
      3000
      Саны енгізіңіз:
      SISS27DN-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
      Анықтамалық баға (USD)
      Саны
      Тауар өлшемінің бағасы
      Қосымша. Бағасы
      1
      0,41 $
      0,41 $
      10
      0,39 $
      3,89 $
      100
      0,37 $
      36,84 $
      500
      0,35 $
      173,95 $
      1000
      0,33 $
      327,50 $
      -ден бастаңыз
      Top