CSD87335Q3DT

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

LSON-CLIP-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

25 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.4 Ohms, 1.2 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V, 750 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

5.7 nC, 10.7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

6 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

NexFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.5 mm

Ұзындығы:

3.3 mm

Серия:

CSD87335Q3D

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

3.3 mm

Бренд:

Texas Instruments

Форвард өткізгіштік - Мин:

59 S, 107 S

Күз уақыты:

4 ns, 5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

29 ns, 27 ns

Зауыттық буманың саны:

250

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns, 17 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

8 ns, 8 ns

Бірлік салмағы:

0.002402 oz

Tags

CSD8733, CSD873, CSD87, CSD8, CSD