SIHP38N60EF-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220AB-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

40 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

70 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

189 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

313 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Серия:

Е.Ф

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

13 S

Күз уақыты:

67 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

63 ns

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

143 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

35 ns

Tags

SIHP3, SIHP, SIH