SQJ940EP-T1_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAK-SO-8L-4

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

15 A, 18 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

13.3 mOhms, 5.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

20 nC, 48 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

48 W, 43 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Серия:

SQ

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

64 S, 102 S

Күз уақыты:

4.9 ns, 13.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9.3 ns, 9.5 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

15.6 ns, 47 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.8 ns, 7.7 ns

Бірлік салмағы:

0.017870 oz

Tags

SQJ94, SQJ9, SQJ