STL120N8F7

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerFLAT-5x6-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

80 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

120 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

60 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

140 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

STripFET

Биіктігі:

1 mm

Ұзындығы:

6.15 mm

Серия:

STL120N8F7

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5.2 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

15.4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

16.8 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

60 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

34.5 ns

Tags

STL120, STL12, STL1, STL