CSD87501LT

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

BGA-10

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

14 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

15 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.5 W

Конфигурация:

Қосарлы

Сауда атауы:

NexFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.2 mm

Ұзындығы:

3.37 mm

Серия:

CSD87501L

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

1.47 mm

Бренд:

Texas Instruments

Күз уақыты:

712 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

260 ns

Зауыттық буманың саны:

250

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

709 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

164 ns

Бірлік салмағы:

0.000109 oz

Tags

CSD8750, CSD875, CSD87, CSD8, CSD